存儲器

存儲器從一開始發展就受到了人們很多的關注。其一，它的集成度和集成電路的工藝技術都代表著當代的*高水平；其二，半導體存儲器的產量是*大的，并且使用面在整個集成電路家族中也是*廣。

數字存儲器發展到了今天，已經有了很多不同的種類，其中占主導地位的是DRAM（dynamic random access memories)，而人們視線*集中的就是近幾年有著快速發展的FRAM。隨著各種新的技術在電子信息技術領域的迅速發展，人們對高性能的存儲器的需求也隨之變大。一種的存儲器成為這個領域*具有發展潛力的產品，它有著十分快速的寫入速度，并且有著功耗低、操作電壓低、讀寫次數不受限制以及抗輻射等*的性能。

它就是鐵電存儲器——被譽為存儲器*”。它可以在芯片電源忽然斷開的情況下也可保留存儲在存儲器中的信息[1]。這種技術在領域，可用于手機、PDA和衛星通信系統等。

在低端的技術領域，鐵電存儲器已經大量應用于smart card、nmp3和各類播放器中。

存儲器的分類

傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類：易失性存儲器RAM(Random Access Memory)和非易失性存儲器PRAM（Phase-change Random Access memory)。易失性存儲器RAMRandomAccess Memory)的全名為隨機存取記憶體，它在任何時刻都是可以讀寫的，RAM一般是作為操作系統或者其它正在運行的程序臨時的存儲地點（可稱作內存）。它的功能就相當于計算機上的移動存儲設備，用來保存數據的。RAM型存儲器有著使用方便，性能高的優點，但缺點也很明顯，就是當系統電源突然斷開的時候，系統將無法保存數據。如果想要需要保存數據的話，就必須把它們寫入到一個長期的存儲器中（例如硬盤）。這也就是RAM被稱作“可變存儲器”的原因。

而另外一種非易失性存儲器（nonvolatile memory)則不存在突然斷電丟失數據的問題，也不用定期地刷新存儲器內容。這包括形式的只讀存儲器（ROM），在這之中包括可編程只讀存儲器（PROM）、可擦可編程只讀存儲器（EPROM）、可擦除只讀存儲器（EEPROM）和閃存。它也包括電池供電的隨機存取儲存器（RAM）。只讀存儲器（ROM）技術幾乎都來自于主流的非易失性存儲器的技術。正如字面上的意思一樣，被稱為只讀存儲器（ROM）就肯定不容易進行寫入操作，在實際的情況下只讀存儲器（ROM）是根本不能寫入[2-3]。由ROM技術研究開發出的存儲器也都具有進行寫入操作困難的弊端。這些技術包括有EPROM、EEPROM和Fhsh。這些存儲器不但寫入速度慢，寫入時功耗也很大，而且只能擦寫有限的次數。